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物理氣相沉積一種鍍膜技術(shù)物理氣相沉積，英文Physical Vapor Deposition，簡(jiǎn)稱(chēng)PVD。該技術(shù)指在真空條件下，采用物理方法，將固體或液體材料源表面氣化成氣態(tài)原子、分子或部分電離成離子，并通過(guò)低壓氣體或等離子體，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術(shù)。PVD技術(shù)主要分為三類(lèi)，真空蒸發(fā)鍍膜、真空濺射鍍和真空離子鍍膜，應用較廣的是離子鍍。目前，物理氣相沉積技術(shù)不僅可沉積金屬膜、合金

紅外光譜分析對物質(zhì)分子進(jìn)行的分析、鑒定紅外光譜分析（infrared spectra analysis指的是利用紅外光譜對物質(zhì)分子進(jìn)行的分析和鑒定。將一束不同波長(cháng)的紅外射線(xiàn)照射到物質(zhì)的分子上，某些特定波長(cháng)的紅外射線(xiàn)被吸收，形成這一分子的紅外吸收光譜。

電化學(xué)沉積電化學(xué)是研究化學(xué)現象與電現象之間的相互關(guān)系以及化學(xué)能與電能相互轉化規律的學(xué)科。電化學(xué)沉積是指在外電場(chǎng)作用下電流通過(guò)電解質(zhì)溶液中正負離子的遷移并在電極上發(fā)生得失電子的氧化還原反應而形成鍍層的技術(shù)。在陰極產(chǎn)生金屬離子的還原而獲得金屬鍍層，稱(chēng)為電鍍。在陽(yáng)極發(fā)生陽(yáng)極金屬的氧化而形成合用的氧化膜，稱(chēng)為金屬的電化學(xué)氧化，簡(jiǎn)稱(chēng)金屬的電氧化。電化學(xué)沉積與化學(xué)鍍的最大區別在于雖然都是在溶液中進(jìn)行氧化還原反

俄歇電子能譜俄歇電子能譜（Auger electron spectroscopy，簡(jiǎn)稱(chēng)AES），是一種利用高能電子束為激發(fā)源的表面科學(xué)和材料科學(xué)的分析技術(shù)。因此技術(shù)主要借由俄歇效應進(jìn)行分析而命名之。AES分析區域受激原子發(fā)射出具有元素特征的俄歇電子。外層電子填充空穴向內層躍遷過(guò)程中所釋放的能量，可能以X光的形式放出，即產(chǎn)生特征X射線(xiàn)，也可能又使核外另一電子激發(fā)成為自由電子，這種自由電子就是俄歇電子

電弧放電專(zhuān)業(yè)術(shù)語(yǔ)電弧放電是專(zhuān)業(yè)術(shù)語(yǔ)，拼音為diàn hú fàng diàn，兩個(gè)電極在一定電壓下由氣態(tài)帶電粒子，如電子或離子，維持導電的現象。激發(fā)試樣產(chǎn)生光譜。電弧放電主要發(fā)射原子譜線(xiàn)，是發(fā)射光譜分析常用的激發(fā)光源。

氮化硅重要的結構陶瓷材料氮化硅，化學(xué)式為Si3N4，是一種重要的結構陶瓷材料。它是一種超硬物質(zhì)，本身具有潤滑性，并且耐磨損，為原子晶體；高溫時(shí)抗氧化。而且它還能抵抗冷熱沖擊，在空氣中加熱到1000℃以上，急劇冷卻再急劇加熱，也不會(huì )碎裂。正是由于氮化硅陶瓷具有如此優(yōu)異的特性，人們常常利用它來(lái)制造軸承、氣輪機葉片、機械密封環(huán)、永久性模具等機械構件。如果用耐高溫而且不易傳熱的氮化硅陶瓷來(lái)制造發(fā)動(dòng)機部件的

無(wú)定形碳碳的同素異形體中的一大類(lèi)無(wú)定形碳又稱(chēng)為過(guò)渡態(tài)碳，是碳的同素異形體中的一大類(lèi)。無(wú)定形碳即指那些石墨化晶化程度很低，近似非晶形態(tài)（或無(wú)固定形狀和周期性的結構規律）的碳材料，如炭黑等。在炭素材料學(xué)歷史上，曾與石墨、金剛石并立，被認為是碳元素三種存在狀態(tài)之一。

特征峰用于鑒定官能團存在的峰用于鑒定官能團存在的峰稱(chēng)為特征吸收峰或特征峰（Characteristic Peak）。譜圖中的吸收峰對應于分子中某化學(xué)鍵或基團的振動(dòng)形式，同一基團的振動(dòng)頻率總是出現在一定區域。

離子注入材料表面改性技術(shù)離子注入是指當真空中有一束離子束射向一塊固體材料時(shí)，離子束把固體材料的原子或分子撞出固體材料表面，這個(gè)現象叫做濺射；而當離子束射到固體材料時(shí)，從固體材料表面彈了回來(lái)，或者穿出固體材料而去，這些現象叫做散射；另外有一種現象是，離子束射到固體材料以后，受到固體材料的抵抗而速度慢慢減低下來(lái)，并最終停留在固體材料中的這一現象叫作離子注入。

CBN立方氮化硼立方氮化硼極其堅硬，顯微硬度HV72000～98000Mpa，硬度低於鉆石。和鉆石相似，立方氮化硼是一種絕緣體但卻是一種極佳的導熱體。結構類(lèi)似於鉆石的氮化硼形態(tài)，也叫正方體氮化硼、c-BN、β-BN、或z-BN（以閃鋅礦（ZincBlende）晶體結構命名），是被廣泛使用的工業(yè)鉆磨工具。

化學(xué)氣相沉積制備材料的氣相生長(cháng)方法化學(xué)氣相沉積是一種制備材料的氣相生長(cháng)方法，它是把一種或幾種含有構成薄膜元素的化合物、單質(zhì)氣體通入放置有基材的反應室，借助空間氣相化學(xué)反應在基體表面上沉積固態(tài)薄膜的工藝技術(shù)。

碳化硅（英文名：silicon carbide），分子式為SiC，是一種以共價(jià)鍵為主，碳、硅原子相互作用形成Sp雜化的非金屬化合物。其外觀(guān)顏色依據純度有黃色、綠色和藍黑色。依據其結構特點(diǎn)，因此碳化硅具有耐磨性強、彈性模量高、硬度強、耐腐蝕等特性， 被廣泛應用于磨料、耐火材料、化工等多個(gè)領(lǐng)域。自然界發(fā)現的碳化硅含量較低，工業(yè)上所使用的碳化硅幾乎都是人工合成的。

王恩哥，1957年1月出生于遼寧省沈陽(yáng)市，物理學(xué)家、中國科學(xué)院物理研究所所長(cháng)、北京凝聚態(tài)物理國家實(shí)驗室（籌）主任、中國科學(xué)院副秘書(shū)長(cháng)、中國科學(xué)院研究生院常務(wù)副院長(cháng)、中國科學(xué)院數理學(xué)部院士、第三世界科學(xué)院院士、北京大學(xué)物理學(xué)院教授、中國科學(xué)院物理研究所研究員、北京科協(xié)副主席。

碳化硼最堅硬的三種材料之一碳化硼（boron carbide ），別名黑鉆石，分子式為B?C，通常為灰黑色微粉。是已知最堅硬的三種材料之一（其他兩種為金剛石、立方相氮化硼），用于坦克車(chē)的裝甲、避彈衣和很多工業(yè)應用品中。它的摩氏硬度為9.3。它在19世紀作為金屬硼化物研究的副產(chǎn)品被發(fā)現，直到1930年代才被科學(xué)地研究。碳化硼可由電爐中用碳還原三氧化二硼制得。碳化硼可以吸收大量的中子而不會(huì )形成任何放射

物理氣相沉積一種鍍膜技術(shù)物理氣相沉積，英文Physical Vapor Deposition，簡(jiǎn)稱(chēng)PVD。該技術(shù)指在真空條件下，采用物理方法，將固體或液體材料源表面氣化成氣態(tài)原子、分子或部分電離成離子，并通過(guò)低壓氣體或等離子體，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術(shù)。PVD技術(shù)主要分為三類(lèi)，真空蒸發(fā)鍍膜、真空濺射鍍和真空離子鍍膜，應用較廣的是離子鍍。目前，物理氣相沉積技術(shù)不僅可沉積金屬膜、合金

甲基藍一種芳香雜環(huán)化合物甲基藍又稱(chēng)油脂藍、棉藍、溶劑藍8B、酸性藍93、品藍，是一種芳香雜環(huán)化合物。分子式C37H27N3Na2O9S3。被用作生物染色劑，用于動(dòng)物組織學(xué)中原生動(dòng)物活體、細菌、神經(jīng)細胞的染色。醫用消毒劑。

紅外光譜分析對物質(zhì)分子進(jìn)行的分析、鑒定紅外光譜分析（infrared spectra analysis指的是利用紅外光譜對物質(zhì)分子進(jìn)行的分析和鑒定。將一束不同波長(cháng)的紅外射線(xiàn)照射到物質(zhì)的分子上，某些特定波長(cháng)的紅外射線(xiàn)被吸收，形成這一分子的紅外吸收光譜。

淋球菌本詞條是多義詞，共2個(gè)義項淋病奈瑟球菌的俗稱(chēng)淋球菌是淋病奈瑟球菌的俗稱(chēng)，為嚴格的人體寄生菌，常存在于急性尿道炎與陰道炎的膿性分泌物的白細胞中，形態(tài)染色類(lèi)似于腦膜炎球菌。淋球菌感染可引起泌尿生殖系統的化膿性感染，是常見(jiàn)的性傳播疾病之一，俗稱(chēng)淋病。臨床表現以尿道炎、宮頸炎多見(jiàn)，典型癥狀是排尿困難、尿頻、尿急、尿痛、排出黏液或膿性分泌物等。也可侵犯眼睛、咽部、直腸和盆腔等處以及血行播散性感染引起關(guān)

俄歇電子能譜俄歇電子能譜（Auger electron spectroscopy，簡(jiǎn)稱(chēng)AES），是一種利用高能電子束為激發(fā)源的表面科學(xué)和材料科學(xué)的分析技術(shù)。因此技術(shù)主要借由俄歇效應進(jìn)行分析而命名之。AES分析區域受激原子發(fā)射出具有元素特征的俄歇電子。外層電子填充空穴向內層躍遷過(guò)程中所釋放的能量，可能以X光的形式放出，即產(chǎn)生特征X射線(xiàn)，也可能又使核外另一電子激發(fā)成為自由電子，這種自由電子就是俄歇電子

尿路感染（英文名：urinary tract infection，UTI），簡(jiǎn)稱(chēng)為尿感，是一組各種病原微生物在尿路中生長(cháng)并繁殖而引起的感染性疾病。臨床上可分為腎盂腎炎、 膀胱炎、無(wú)癥狀性菌尿、復雜性尿路感染等。病因主要是由于細菌感染引起，致病菌以革蘭氏陰性桿菌為主，其中最常見(jiàn)的為大腸埃希菌。病原體可包括細菌、真菌、支原體、衣原體、病毒等。尿路感染女性的發(fā)病率為男性的4-5倍， 多見(jiàn)于育齡期女性、老

氮化硅重要的結構陶瓷材料氮化硅，化學(xué)式為Si3N4，是一種重要的結構陶瓷材料。它是一種超硬物質(zhì)，本身具有潤滑性，并且耐磨損，為原子晶體；高溫時(shí)抗氧化。而且它還能抵抗冷熱沖擊，在空氣中加熱到1000℃以上，急劇冷卻再急劇加熱，也不會(huì )碎裂。正是由于氮化硅陶瓷具有如此優(yōu)異的特性，人們常常利用它來(lái)制造軸承、氣輪機葉片、機械密封環(huán)、永久性模具等機械構件。如果用耐高溫而且不易傳熱的氮化硅陶瓷來(lái)制造發(fā)動(dòng)機部件的

特征峰用于鑒定官能團存在的峰用于鑒定官能團存在的峰稱(chēng)為特征吸收峰或特征峰（Characteristic Peak）。譜圖中的吸收峰對應于分子中某化學(xué)鍵或基團的振動(dòng)形式，同一基團的振動(dòng)頻率總是出現在一定區域。

奇異變形桿菌一種致病菌變形桿菌廣泛存在于水、土壤腐敗的有機物以及人和動(dòng)物的腸道中，為條件致病菌，多為繼發(fā)感染，如慢性中耳炎、創(chuàng )傷感染等，也可引起膀胱炎、嬰兒腹瀉、食物中毒等。變形桿菌屬包括普通變形桿菌、奇異變形桿菌、莫根變形桿菌、雷極變形桿菌和無(wú)恒變形桿菌。其中以普通變形桿菌和奇異變形桿菌與臨床關(guān)系較密切，奇異變形桿菌和普通變形桿菌是僅次于大腸埃希菌的泌尿系統感染的主要病原菌，腎結石和膀胱結石的形

CBN立方氮化硼立方氮化硼極其堅硬，顯微硬度HV72000～98000Mpa，硬度低於鉆石。和鉆石相似，立方氮化硼是一種絕緣體但卻是一種極佳的導熱體。結構類(lèi)似於鉆石的氮化硼形態(tài)，也叫正方體氮化硼、c-BN、β-BN、或z-BN（以閃鋅礦（ZincBlende）晶體結構命名），是被廣泛使用的工業(yè)鉆磨工具。

陰溝腸桿菌腸道正常菌種之一腸桿菌目腸桿菌科腸桿菌屬的一種細菌陰溝腸桿菌(Enterobacter cloacae)是腸桿菌目腸桿菌科腸桿菌屬的一種細菌，廣泛存在于自然界中，在人和動(dòng)物的糞便水、泥土、植物中均可檢出，是腸道正常菌種之一。