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靶材是高速荷能粒子轟擊的目標材料，通常用于磁控濺射、多弧離子鍍或其他類(lèi)型的鍍膜系統中，以濺射形成各種功能薄膜。在激光武器中，靶材與不同功率密度、不同輸出波形、不同波長(cháng)的激光相互作用時(shí)會(huì )產(chǎn)生不同的殺傷破壞效應。靶材
高速荷能粒子轟擊的目標材料
鍍膜靶材是通過(guò)磁控濺射、多弧離子鍍或其他類(lèi)型的鍍膜系統在適當工藝條件下濺射在基板上形成各種功能薄膜的濺射源。簡(jiǎn)單說(shuō)的話(huà)，靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標材料，用于高能激光武器中，不同功率密度、不同輸出波形、不同波長(cháng)的激光與不同的靶材相互作用時(shí)，會(huì )產(chǎn)生不同的殺傷破壞效應。
例如：蒸發(fā)磁控濺射鍍膜是加熱蒸發(fā)鍍膜、鋁膜等。更換不同的靶材（如鋁、銅、不銹鋼、鈦、鎳靶等），即可得到不同的膜系（如超硬、耐磨、防腐的合金膜等）。
基本信息
| 中文名 | 靶材 |
| 外文名 | target material |
| 材質(zhì)分類(lèi)2 | 陶瓷靶材 |
| 材質(zhì)分類(lèi)3 | 合金靶材 |
| 材質(zhì)分類(lèi)1 | 金屬靶材 |
簡(jiǎn)介
材質(zhì)分類(lèi)
?金屬靶材
鎳靶Ni、鈦靶Ti、鋅靶Zn、鉻靶Cr、鎂靶Mg、鈮靶Nb、錫靶Sn、鋁靶Al、銦靶In、鐵靶Fe、鋯鋁靶ZrAl、鈦鋁靶TiAl、鋯靶Zr、鋁硅靶AlSi、硅靶Si、銅靶Cu、鉭靶Ta、鍺靶Ge、銀靶Ag、鈷靶Co、金靶Au、釓靶Gd、鑭靶La、釔靶Y、鈰靶Ce、不銹鋼靶、鎳鉻靶NiCr、鉿靶Hf、鉬靶Mo、鐵鎳靶FeNi、鎢靶、W等。
?陶瓷靶材
ITO靶、氧化鎂靶、氧化鐵靶、氮化硅靶、碳化硅靶、氮化鈦靶、氧化鉻靶、氧化鋅靶、硫化鋅靶、二氧化硅靶、一氧化硅靶、氧化鈰靶、二氧化鋯靶、五氧化二鈮靶、二氧化鈦靶、二氧化鋯靶，、二氧化鉿靶，二硼化鈦靶，二硼化鋯靶，三氧化鎢靶，三氧化二鋁靶五氧化二鉭，五氧化二鈮靶、氟化鎂靶、氟化釔靶、硒化鋅靶、氮化鋁靶，氮化硅靶，氮化硼靶，氮化鈦靶，碳化硅靶，鈮酸鋰靶、鈦酸鐠靶、鈦酸鋇靶、鈦酸鑭靶、氧化鎳靶、濺射靶材等。
?合金靶材
發(fā)展
各種類(lèi)型的濺射薄膜材料在半導體集成電路(VLSI)、光碟、平面顯示器以及工件的表面涂層等方面都得到了廣泛的應用。20世紀90年代以來(lái)，濺射靶材及濺射技術(shù)的同步發(fā)展，極大地滿(mǎn)足了各種新型電子元器件發(fā)展的需求。例如，在半導體集成電路制造過(guò)程中，以電阻率較低的銅導體薄膜代替鋁膜布線(xiàn)：在平面顯示器產(chǎn)業(yè)中，各種顯示技術(shù)(如LCD、PDP、OLED及FED等)的同步發(fā)展，有的已經(jīng)用于電腦及計算機的顯示器制造；在信息存儲產(chǎn)業(yè)中，磁性存儲器的存儲容量不斷增加，新的磁光記錄材料不斷推陳出新這些都對所需濺射靶材的質(zhì)量提出了越來(lái)越高的要求，需求數量也逐年增加。
市場(chǎng)概況
日本。就美國而言．約有50家中小規模的靶材制造商及經(jīng)銷(xiāo)商，其中最大的公司員工大約有幾百人。不過(guò)為了能更接近使用者，以便提供更完善的售后服務(wù)，全球主要靶材制造商通常會(huì )在客戶(hù)所在地設立分公司。近段時(shí)間，亞洲的一些國家和地區，如臺灣．韓國和新加坡，就建立了越來(lái)越多制造薄膜元件或產(chǎn)品的工廠(chǎng)，如IC、液晶顯示器及光碟制造廠(chǎng)。
對靶材廠(chǎng)商而言，這是相當重要的新興市場(chǎng)。中國靶材產(chǎn)業(yè)發(fā)展也是與日俱增，不斷的擴大自己的規模和生產(chǎn)技術(shù)，國內一線(xiàn)生產(chǎn)制造靶材的品牌已經(jīng)達到國外最頂尖的技術(shù)水平。2010年，日本三菱公司就在中國臺灣地區建立了光碟塒靶材的生產(chǎn)基地，可以滿(mǎn)足臺灣50%的靶材需要。
BCC(BusinessCommunicationsCompany，商業(yè)咨詢(xún)公司）最新的統計報告指出，全球靶材市場(chǎng)將以8.8%的年平均增長(cháng)率（AAGR)在今后的5年內持續增長(cháng)，估計銷(xiāo)售額將從1999年的7.2億美元增加到2004年的11億美元。靶材是一種具有高附加價(jià)值的特種電子材料，主要使用在微電子，顯示器，存儲器以及光學(xué)鍍膜等產(chǎn)業(yè)上，用以濺射用于尖端技術(shù)的各種薄膜材料。BCC的報告顯示：全球的上述產(chǎn)業(yè)在1999年使用了2.88百萬(wàn)公斤靶材。換算為面積，則濺射了363百萬(wàn)平方米的薄膜。而若以單位靶材來(lái)計算，全球在1999年則大約使用了37400單位的靶材。這里所要指出的是，隨著(zhù)應用產(chǎn)業(yè)的不同，靶材的形狀與大小也有所差異，其直徑從15Gm到3m都有，而上述的統計資料，則是平均化后的結果。
制作工藝
1）磁控濺射原理：
在被濺射的靶極（陰極）與陽(yáng)極之間加一個(gè)正交磁場(chǎng)和電場(chǎng)，在高真空室中充入所需要的惰性氣體（通常為Ar氣），永久磁鐵在靶材料表面形成250～350高斯的磁場(chǎng)，同高壓電場(chǎng)組成正交電磁場(chǎng)。在電場(chǎng)的作用下，Ar氣電離成正離子和電子，靶上加有一定的負高壓，從靶極發(fā)出的電子受磁場(chǎng)的作用與工作氣體的電離幾率增大，在陰極附近形成高密度的等離子體，Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面，以很高的速度轟擊靶面，使靶上被濺射出來(lái)的原子遵循動(dòng)量轉換原理以較高的動(dòng)能脫離靶面飛向基片淀積成膜。磁控濺射一般分為二種：直流濺射和射頻濺射，其中直流濺射設備原理簡(jiǎn)單，在濺射金屬時(shí)，其速率也快。而射頻濺射的使用范圍更為廣泛，除可濺射導電材料外，也可濺射非導電的材料，同時(shí)還可進(jìn)行反應濺射制備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。若射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射，如今，常用的有電子回旋共振(ECR）型微波等離子體濺射。
2）磁控濺射靶材種類(lèi)：
應用領(lǐng)域
眾所周知，靶材材料的技術(shù)發(fā)展趨勢與下游應用產(chǎn)業(yè)的薄膜技術(shù)發(fā)展趨勢息息相關(guān)，隨著(zhù)應用產(chǎn)業(yè)在薄膜產(chǎn)品或元件上的技術(shù)改進(jìn)，靶材技術(shù)也應隨之變化。如Ic制造商．近段時(shí)間致力于低電阻率銅布線(xiàn)的開(kāi)發(fā)，預計未來(lái)幾年將大幅度取代原來(lái)的鋁膜，這樣銅靶及其所需阻擋層靶材的開(kāi)發(fā)將刻不容緩。另外，近年來(lái)平面顯示器（FPD）大幅度取代原以陰極射線(xiàn)管（CRT）為主的電腦顯示器及電視機市場(chǎng)．亦將大幅增加ITO靶材的技術(shù)與市場(chǎng)需求。此外在存儲技術(shù)方面。高密度、大容量硬盤(pán)，高密度的可擦寫(xiě)光盤(pán)的需求持續增加．這些均導致應用產(chǎn)業(yè)對靶材的需求發(fā)生變化。下面我們將分別介紹靶材的主要應用領(lǐng)域，以及這些領(lǐng)域靶材發(fā)展的趨勢。
微電子領(lǐng)域
在所有應用產(chǎn)業(yè)中，半導體產(chǎn)業(yè)對靶材濺射薄膜的品質(zhì)要求是最苛刻的。如今12英寸（300衄口）的硅晶片已制造出來(lái)．而互連線(xiàn)的寬度卻在減小。硅片制造商對靶材的要求是大尺寸、高純度、低偏析和細晶粒，這就要求所制造的靶材具有更好的微觀(guān)結構。靶材的結晶粒子直徑和均勻性已被認為是影響薄膜沉積率的關(guān)鍵因素。另外，薄膜的純度與靶材的純度關(guān)系極大，過(guò)去99.995%（4N5）純度的銅靶，或許能夠滿(mǎn)足半導體廠(chǎng)商0.35pm工藝的需求，但是卻無(wú)法滿(mǎn)足如今0.25um的工藝要求，而未米的0.18um}藝甚至0.13m工藝，所需要的靶材純度將要求達到5甚至6N以上。銅與鋁相比較，銅具有更高的抗電遷移能力及更低的電阻率，能夠滿(mǎn)足！導體工藝在0.25um以下的亞微米布線(xiàn)的需要但卻帶米了其他的問(wèn)題：銅與有機介質(zhì)材料的附著(zhù)強度低．并且容易發(fā)生反應，導致在使用過(guò)程中芯片的銅互連線(xiàn)被腐蝕而斷路。為了解決以上這些問(wèn)題，需要在銅與介質(zhì)層之間設置阻擋層。阻擋層材料一般采用高熔點(diǎn)、高電阻率的金屬及其化合物，因此要求阻擋層厚度小于50nm，與銅及介質(zhì)材料的附著(zhù)性能良好。銅互連和鋁互連的阻擋層材料是不同的．需要研制新的靶材材料。銅互連的阻擋層用靶材包括Ta、W、TaSi、WSi等．但是Ta、W都是難熔金屬．制作相對困難，如今正在研究鉬、鉻等的臺金作為替代材料。
顯示器用
平面顯示器（FPD)這些年來(lái)大幅沖擊以陰極射線(xiàn)管(CRT)為主的電腦顯示器及電視機市場(chǎng)，亦將帶動(dòng)ITO靶材的技術(shù)與市場(chǎng)需求。如今的iTO靶材有兩種．一種是采用納米狀態(tài)的氧化銦和氧化錫粉混合后燒結，一種是采用銦錫合金靶材。銦錫合金靶材可以采用直流反應濺射制造ITO薄膜，但是靶表面會(huì )氧化而影響濺射率，并且不易得到大尺寸的臺金靶材。如今一般采取第一種方法生產(chǎn)ITO靶材，利用L}IRF反應濺射鍍膜．它具有沉積速度快．且能精確控制膜厚，電導率高，薄膜的一致性好，與基板的附著(zhù)力強等優(yōu)點(diǎn)l。但是靶材制作困難，這是因為氧化銦和氧化錫不容易燒結在一起。一般采用ZrO2、Bi2O3、CeO等作為燒結添加劑，能夠獲得密度為理論值的93%~98%的靶材，這種方式形成的ITO薄膜的性能與添加劑的關(guān)系極大。日本的科學(xué)家采用Bizo作為添加劑，Bi2O3在820Cr熔化，在l500℃的燒結溫度超出部分已經(jīng)揮發(fā)，這樣能夠在液相燒結條件下得到比較純的ITO靶材。而且所需要的氧化物原料也不一定是納米顆粒，這樣可以簡(jiǎn)化前期的工序。采川這樣的靶材得到的ITO薄膜的屯阻率達到8．1×10n-cm，接近純的ITO薄膜的電阻率。FPD和導電玻璃的尺寸都相當火，導電玻璃的寬度甚至可以達到3133_，為了提高靶材的利用率，開(kāi)發(fā)了不同形狀的ITO靶材，如圓柱形等。2000年，國家發(fā)展計劃委員會(huì )、科學(xué)技術(shù)部在《當前優(yōu)先發(fā)展的信息產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)領(lǐng)域指南》中，ITO大型靶材也列入其中。
存儲用
在儲存技術(shù)方面，高密度、大容量硬盤(pán)的發(fā)展，需要大量的巨磁阻薄膜材料，CoF~Cu多層復合膜是如今應用廣泛的巨磁阻薄膜結構。磁光盤(pán)需要的TbFeCo合金靶材還在進(jìn)一步發(fā)展，用它制造的磁光盤(pán)具有存儲容量大，壽命長(cháng)，可反復無(wú)接觸擦寫(xiě)的特點(diǎn)。如今開(kāi)發(fā)出來(lái)的磁光盤(pán)，具有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的層復合膜結構，TbFeCo/AI結構的Kerr旋轉角達到58，而TbFeCofFa則可以接近0.8。經(jīng)過(guò)研究發(fā)現，低磁導率的靶材高交流局部放電電壓l抗電強度。
基于鍺銻碲化物的相變存儲器(PCM)顯示出顯著(zhù)的商業(yè)化潛力，是NOR型閃存和部分DRAM市場(chǎng)的一項替代性存儲器技術(shù)，不過(guò)，在實(shí)現更快速地按比例縮小的道路上存在的挑戰之一，便是缺乏能夠生產(chǎn)可進(jìn)一步調低復位電流的完全密閉單元。降低復位電流可降低存儲器的耗電量，延長(cháng)電池壽命和提高數據帶寬，這對于當前以數據為中心的、高度便攜式的消費設備來(lái)說(shuō)都是很重要的特征。
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貴妃，中文名：蘇子葉。一種優(yōu)質(zhì)大果的新品種枇杷，豐產(chǎn)性好。貴妃枇杷樹(shù)勢中庸偏強，樹(shù)姿開(kāi)張，樹(shù)冠圓頭形，中心干較明顯。25年生母樹(shù)冠幅5.6米，樹(shù)高5.1米。分枝力較強，新梢較粗短，抽花穗率高，新梢年生長(cháng)量大，擴冠快；結果早，高接換種后次年或小苗定植后2年即可少量開(kāi)花結果，高接后第2年樹(shù)枝梢抽穗率42
金庸（1923年3月22日—2018年10月30日），本名查良鏞，浙江海寧人?，F代武俠小說(shuō)作家、新聞家、企業(yè)家、政治評論家、社會(huì )活動(dòng)家。與古龍、梁羽生、溫瑞安等為新派武俠小說(shuō)代表作家。
尚可名片
這家伙太懶了，什么都沒(méi)寫(xiě)！
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